请问在哪能看到主板的牌子和型号？紫光拼音，在哪里下载
请问在哪能看到主板的牌子和型号
你刚开机时在屏幕下方有一串由英文和数字组成的标记,请记下来,如果来不及可以可以在检测内存时按下Pause键暂停启动并记下识别码,然后你可以在下面查看相应的主板型号:3.BIOS标识的识别 我主板的BIOS标识为：08/01/2000-693-596-8693-IA6LGC3CC-00 其中前面的08/01/2000代表BIOS日期为2000年8月1日 693和596这里代表主板的南、北桥芯片，有的主板此位置表示的是芯片组和I/O芯片，总的来说是表示芯片组信息，即VIA82C693和VIA82C596系列芯片组，注意是系列，单凭这两个数字无法判断具体型号，比如是693还是693A，是596A还是596B等 8693代表主板内部编号 IA6LG是芯片组的编码 第1位代表BIOS的版本，为1时代表V4.2以前的Award BIOS版本；为2时代表V4.5版本；为6时代表V6.0的版本；常见为2和6，如是2也说明BIOS版本较旧，需要升级：），如是其他字符代表其他版本的或专用的、特殊的版本，我这里就是I哦 第2位代表支持的总线类型，1代表支持ISA总线；2支持PS/2总线；3支持EISA总线；A代表支持ISA/PCI总线；B代表支持EISA/PCI总线；C代表支持ISA/PM总线；常见字符为A 第3位说明了主板的档次，即所支持的CPU类型。4代表支持486级别CPU；5支持586级；6代表支持P2级 第4、5为代表准备芯片组的类型，采用VIA芯片组的，第4位为L；采用扬智芯片组的，4位为K；矽统芯片组为I；Intel芯片组为9；第4位其他字符较少见 213V1: SARC RC2018 21480: HiNT SC9204 (Sierra), HMC82C206 214D1: HiNT SC9204 (Sierra), HMC82C206 214I8: SiS（矽统） 85C471 214I9: SiS 85C471E 214L2: VIA VT82C486A 214L6: VIA Venus VT82C486A/VT82C495/VT82C496G 214W3: VD 88C898 214X2: UMC UM491 215UM: OPTi 82C546/82C597 21917: ALD 219V0: SARC RC2016 2A431: Cyrix MediaGx Cx5510 2A432: Cyrix GXi Cx5520 2A433: Cyrix GXm Cx5520 2A434: Cyrix GXm Cx5530 2A496: Intel Saturn 2A498: Intel Saturn IIt 2A499: Intel Aries 2A4H2: Contaq 82C596-9 2A4IB: SiS 496/497 2A4J6: Winbond W83C491(SL82C491 Symphony Wagner) 2A4KA: ALi（扬智） 2A4KC: Ali 1439/45/31 2A4KD: Ali 1487/1489 2A4L4: VIA 486A/482/505 2A4L6: VIA 496/406/505 2A4O3: EFAR EC802GL, EC100G 2A4UK: OPTI-802G-822 2A4X5: UMC 8881E/8886B 2A597: Intel Mercury 2A59A: Intel Natoma (Neptune) 2A59B: Intel Mercury 2A59C: Intel Triton FX(Socket 7) 2A59f: Intel Triton II HX(Socket 7) 2A59G: Intel Triton VX(Socket 7) 2A59H: Intel Triton VX(Socket 7)，BIOS非法是那种 2A59I: Intel Triton TX chipset (Socket 7 based m/b) 2A5G7: VLSI VL82C594 2A5GB: VLSI Lynx VL82C541/VL82C543 2A5IA: SiS 501/02/03 2A5IC: SiS 5501/02/03 2A5ID: SiS 5511/12/13 2A5IE: SiS 5101-5103 2A5If: SiS 5596/5597 2A5IH: SiS 5571 2A5II: SiS 5582/5597/5598 2A5IJ: SiS 5120 Mobile 2A5IK: SiS 5591 2A5IM: SiS 530 2A5KB: Ali 1449/61/51 2A5KE: ALI 1511 2A5Kf: ALI 1521/23 2A5KI: ALI IV+ M1531/M1543(也叫Super TX芯片组) 2A5KK: Ali Aladdin V 2A5L5: VIA 2A5L7: VIA VT82C570 2A5L9: VIA VT82C570M 2A5LA: VIA Apollo VP1(VT82C580VP) (有的标为VXPro) 2A5LC: VIA Apollo VP2(有的标为AMD640) 2A5LD: VIA VPX(有的标为VXPro+) 2A5LE: VIA Apollo (M)VP3 2A5LH : VIA Apollo VP4 2A5R5: Forex FRX58C613/601A 2A5R6: Forex FRX58C613A/602B/601B 2A5T6: ACC Micro 2278/2188 (Auctor) 2A5UI: Opti 82C822/596/597或OPTi 596/546/82 2A5UL: Opti 82C822/571/572 2A5UM: Opti 82C822/546/547 Chipset 2A5UN: Opti Viper-M 82C556/557/558或Opti Viper 82C556/557/558 2A5UP: Opti Viper Max 2A5X7: UMC 82C890 2A5X8: UMC UM8886BF/UM8891BF/UM8892BF 2A5XA: UMC 890C 2A69H: Intel 440FX(支持Pentium II/Pentium Pro) 2A69J: Intel 440LX/EX(Pentium II) 2A69K: Intel 440BX(Pentium II) 2A69L: Intel “Camino“ 820 2A69M: Intel “Whitney“ 810 2A69N: Intel Banister Mobile 2A6IL: SiS 5600 2A6IN: SiS 620 2A6KL: Ali 1621/1543C 2A6KO: ALi M1631/M1535D 2A6Lf: Via Apollo Pro (691/596) Chipset 2A6LG: Via Apollo Pro Plus/Pro 133 2A6LI: Via MVP4 VIA 601(集成Trident 3D显卡)/686A(集成声卡) 2A6LJ: VIA 694X/596B and VIA 694X/686A 2A9KG: ALi M6117/M1521/M1523 2AG9H: Intel Neptune ISA 2B496: Intel Saturn I EISA 2B597: Intel Mercury EISA 2B59A: Intel Neptune EISA 2B59f: Intel 430HX EISA 2B69D: Intel Orion EISA 2C470: HYF82481 2C4D2: HiNT SC8006 (Sierra), HMC82C206 2C4I7: SiS 461 2C4I8: SiS 85C471B 2C4I9: SiS 85C471B/E/G 2C4J6: Winbond W83C491(SL82C491 Symphony Wagner) 2C4K9: ALI 14296 2C4KC: Ali 1439/45/31 2C4L2: VIA 82C486A 2C4L6: VIA VT496G 2C4L8: VIA VT425MV 2C4O3: EFAR EC802G-B 2C4S0: AMD Elan 470 2C4T7: ACC Micro 2048(Auctor) 2C4UK: OPTI 82C895/82C602 2C4X2: UMC UM82C491/82C493 2C4X6: UMC UM498F/496F 6A69L: INTEL i820 6A69M: Intel i810/810E 6A69R: Intel i815/815E/815EB (Solano) 6A6LJ: VIA Apollo Pro 133A(694/686A) 6A6LK: VIA KX-133(VT8371) 6A6LM: VIA KX-133(VT8363) 6A6S2: AMD 751 第6、7位是Award公司的顾客编号，即厂商编码 00 未授权 A0 ASUS 华硕；A1 Abit (Silicon Star)升技；A2 Atrend中凌；A3 Bcom (ASI)； A7 AVT (formerly Concord) ；A8 Adcom；AB AOpen 建基；AD Amaquest； AK Advantech／AAEON；AM Achme；AT ASK Technology；AX Achitec B0 Biostar映泰；B1 BEK-Tronic Technology；B2 Boser；B3 BCM C1 Clevo；C2 Chicony；C3 Chaintech承启；C5 Chaplet； C9 Computrend；CF Flagpoint；CS CSS Laboratories D0 Dataexpert联讯；D1 DTK创宏；D2 Digital；D3 Digicom；D4 DFI(Diamond Flower)(Crusader)钻石 D7 Daewoo大宇；DE Dual Tech；DI Domex(DTC)；DJ Darter；DL Delta Electronics E1 ECS (Elitegroup) 精英 E3 EFA；E4 ESPCo金鹰；E6 Elonex EC ENPC F0 FIC (FICA)；F1 Flytech Group International；F2 Free Tech富基 F3 Full Yes福扬；F5 Fugutech；F8 Formos；F9 Fordlian/Redfox红狐 G0 Giga-byte技嘉；G1 GIT；G3 Gemlight G5 GVC 致福；Diamond帝盟 G9 Global Circuit Technology旗舰；GA Giantec；GE Zaapa H0 Hsing-Tech (PcChips)宏英；H2 HOLCO(Shuttle)；HH HighTech Information SystemI3 IWill艾威；I4 Inventa (Twn)；I5 Informtech资讯； I9 ICP IA Infinity IC Inventec (notebooks)；IE Itri J1 Jetway (Jetboard, Acorp)捷波 J2 Jamicon (Twn)；J3 J-Bond 捷邦、伟格 J4 Jetta；J6 Joss K0 Kapok；K1 Kamei凯美；KF Kinpo L1 Lucky Star联胜；L7 Lanner Electronics Inc.猎鹰电子 L9 Lucky Tiger；LB LeadTek M0 Matra；M2 Mycomp (TMC) and Megastar皇朝；M3 Mitac神通 M4 Micro-star微星；M8 Mustek全友；M9 MLE MH Macrotek鸿友；MT Mida美达 N0 Nexcom；N5 NEC；NM NMC (New Media Communication)；NX Nexar；N0 Nexcom N5 NEC；NM NMC (New Media Communication)；NX Nexar O0 Ocean (Octek)海洋 P1 PC-Chips明致；P4 Asus；P6 Pro-Tech；P8 Azza博登；P9 Powertech PA Epox (Pronix) & 2TheMax磐正；PC Pine松景；PF President (dead) PN Procomp Informatics Ltd.；PS Palmax (notebooks)；PX Pionix Q0 Quanta (Twn)；Q1 QDI联想 RA RioWorks Solutions Inc；R0 Mtech (Rise)瑞思 R2 Rectron；R3 Datavan International Corp. S2 Soyo梅捷；S3 Smart DM Technology Co., Ltd；S5 Shuttle (Holco)浩鑫 S9 Spring Circle；SA Seanix；SC Sukjung (Auhua Electronics Co. Ltd.) SE Newtech或SMT；SH SYE (Shing Yunn Technology Co., Ltd.) SJ Sowah；SL Winco；SM San-Li and Hope Vision, Superpower上普 SN Soltek硕泰克 SW S&D (also some A-Corp and Zaapa motherboards use this code) T0 Twinhead伦飞；T1 Taemung或Fentech或Trang Bow；T4 Taken T5 Tyan泰安；T6 Trigem；TB Taeil；TG Tekram建邦；TW 同维；TJ Totem TL Transcend Information Inc.；TP Commate, Ozzo, Megtron美创 TR Topstar 国傲通 U0 U-Board；U1 USI (Universal Scientific Industrial)；U2 AIR (UHC)；U3 umax 力捷；U4 Unicorn；U6 Unitron；U9 Warp Speed Ink. V3 Vtech (PCPartner)柏能；V5 Vision Top Technology；V6 Vobis；V7 YKM (Dayton Micro) W0 Wintec (Edom)；W1 WellJoin；W5 Winco；W7 Win Lan Enterprise XA ADLink Technology Inc.；X3 A-Corp；X5 Arima Y2 Yamashita Z1 Zida (Tomato boards)华基、西红柿；Z3 Zeling则灵 第8、9位代表主板的型号，目的是区分同一厂商采用同一芯片组生产的不同型号的主板
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急求：什么叫做次级周期律哪些元素因为这个性质有了什么变化
次级周期律是相对与元素周期律而言的。元素周期律适用于每一周期。而次节周期律适用于隔行周期，就是说2，4，6周期的同一族的元素性质更接近。而3，5周期的同一族的元素性质更接近。在元素周期表中，每族元素的物理与化学性质并非从上到下的简单递变，某些物理与化学性质会随着原子序数的增加而发生锯齿形的变化，这样的现象叫做次周期性。次周期性对于p区元素的表现尤其显著而丰富。本文着重于p区元素定性的解释次周期性出现的原因。 严宣申 (北京大学化学学院 100871) 周期系中同族元素及其化合物的性质改变有2 种情况,其一呈单调地增或减,如HF HI ,H2O H2 Te 酸性、还原性增强;其二呈锯齿状改变,如和H3PO4 相似,H3AsO4 也是中强酸,H2SeO4 、HBrO4 的酸性分别和H2SO4 、HClO4 相当??就是次级周期性。本文重点讨论四、五、六周期p 区元素最高价化合物的性质。1 第四周期p 区元素最高价化合物的性质(1) Br ( Ⅶ) 1968 年首次合成高溴酸盐,比氯、碘的相应化合物晚了百余年。期间具有代表性的、失败的思路是基于KClO3 受热发生自氧化还原反应4 KClO3 = 3 KClO4 + KCl ,想到Br ( Ⅴ) 化合物也可能发生类似反应,1965 年有人制备了17 种金属溴酸盐,分别进行加热试验。结果,以失败告终。多次实验失败提示人们此路不通,要另辟蹊径。1968 年Appelman 籍83Se (β蜕变) 同位素方法制得BrO4-目前用F2 、XeF2 氧化BrO3 – 制备 XeF2 + BrO3- + H2O = BrO4- + Xe + 2HF (产率,20 %) 表1 KClO3 KClO4 KCl KBrO3 KBrO4 KBr△f Hmθ/ kJ / mol – 391. 2 – 433. 5 – 435. 9 – 359. 8 – 287. 4 – 392. 2分解温度/ ℃ 472 534 – 390 275 -SO2 SO3 SeO2 SeO3 HSO4- (aq) HSeO4- (aq)△f Hmθ/ kJ / mol – 296 – 395 – 230 – 184 – 753 – 453制备并研究(Br ( Ⅶ) ) 性质后知道:4 KClO3 = 3 KClO4 + KCl 是放热反应(171. 6 kJ / mol ) ,而4 KBrO3 =3 KBrO4 + KBr 是吸热过程(184. 8 kJ / mol) ,再者KBrO4 分解温度低于KBrO3 ,即使生成KBrO4 ,在KBrO3 分解时,KBrO4 已经分解了。( 2 ) Se ( Ⅵ) SO2 和O2 生成SO3 是放热反应( 9 9 kJ / mol ) , 而SeO2 +O2 = SeO3 是吸热过程( 4 6kJ / mol) ,因此要用其他方法制备Se ( Ⅵ) ,如H2SeO3 + H2O2 = H2SeO4 + H2O。其他Se ( Ⅵ) 化合物的能量也高于相应S( Ⅵ) ,如HSeO4-(aq) 和HSO4(aq) 。(3) As ( Ⅴ) P 和空气中O2 反应,主要产物是P2O5 ( △f Hmθ= – 1506 kJ / mol) ,而As 形成As2O3 ( – 657kJ / mol) 和As2O5 ( – 915 kJ / mol) 表明As2O5 能量显著高于P2O5 。1976 年才首次在- 105 ℃、紫外线照射下AsCl3 和Cl2 结合成AsCl5 ,它在- 50 ℃就分解了。( PCl5 在高于200 ℃才明显分解,表明PCl5 比AsCl5 稳定)( 4 ) Ge ( Ⅳ) 生成GeO2 、GeCl4 释热量分别为- 5 9 0 kJ / mol 、- 5 6 9 kJ / mol , 都低于SiO2 ( – 8 9 4 . 5kJ / mol) 、SiCl4 (l) ( – 640 kJ / mol) ,表明Ge ( Ⅳ) 化合物能量高于相应Si ( Ⅳ) 化合物。(5) Ga Ga 的金属性弱于Al ,Ga (OH) 3 也是两性物,但酸性略强于Al (OH) 3 。此两性质均不同于“同主族内从上而下,单质金属性增强,含氧酸酸性减弱”的“规律”。地壳中,镓主要分散在铝矿中,在用碱处理铝土矿(主要成分是Al2O3 ,含少量Ga2O5 ) 时得AlO2- 、GaO2- 。通入CO2 ,得更弱的弱酸HAlO2·H2O 沉淀,而GaO2- 留在母液中。母液经多次循环,含镓量增大到一定程度成为提镓的原料。 上述Br ( Ⅶ) 等化合物在同族中的特殊性,主要是和三周期过渡到四周期p 区元素的原于序数增大18 ,电子填满(外数第二层) 3d 轨道,发生了和57 号- 71 号镧系元素电子充填(外数第三层) 4 f 轨道———镧系收缩相似的钪系收缩,从21 号元素钪到28 号元素镍,原子半径平均收缩5 pm/ 核电荷(镧系收缩平均1 pm/ 核电荷) ,所以从三周期,即从Al 、Si ??等到四周期Ga 、Ge ??等原子半径增大有限(数据见表2) ,也就不难想象后者最高价化合物的能量较高。 表2 主族元素原子的共价半径/ pmLi 134 Be 90 B 82 C 77 N 75 O 73 F 72Na 154 Mg 130 Al 118 Si 111 P 106 S 102 Cl 99K3 196 Ca3 174 Ga 126 Ge 122 As 119 Se 116 Br 114Rh 211 Sr 192 In 144 Sn 141 Sb 138 Te 135 I 133Cs 235 Ba 198 Ti 148 Pb 147 Bi 146 3 列出ⅠA、ⅡA 原子半径是为了比较2 三、四周期p 区元素最高价含氧酸(盐) 的性质(1) 酸性四周期p 区元素最高价含氧酸的酸性和三周期相应元素含氧酸的酸性相近; HClO4 和HBrO4 都是极强酸;HSO4- 酸性( K = 1. 1 ×10 – 2) 和HSeO4- ( K = 1. 0 ×10 – 2) 相近;H3PO4 和H3AsO4 都是中强酸。若把在族内从上而下酸性不减弱理解为( 相当于) 增强,就不难接受Ga (OH) 3 的酸性略强于Al (OH) 3 。(2) 含氧酸盐的溶解性 相应盐的溶解性常相近,如KClO4 、KBrO4 都是性常相近,如KClO4 、KBrO4 都是O4 (黄色) 和Ag3AsO4 (棕色) ,Al (OH) 3 和Ga (OH) 3 都是难溶物??(3) 氧化性四周期p 区元素最高价含氧酸的氧化性较强:HBrO4 氧化Mn2 + 为MnO4- (HClO4 不能) ;H2SeO4 (50 %) 氧化Cl – 为Cl2 (浓H2SO4 和NaCl 生成HCl) ; H3AsO4 氧化I – 为I2 (浓H3PO4 和KI 生成HI) 。3 五周期p 区元素最高价化合物的性质四、五周期p 区元素原子的次外层都是1 8 e , 由于原子半径大, 最高价含氧酸为六配位氧, 如H2Sn (OH) 6 、HSb (OH) 6 、H6 TeO6 、H5 IO6 、H4XeO4 (高氙酸) ,它们都是弱酸,如H5 IO6 的K1 = 5. 1 ×10 – 4 , K2= 4. 9 ×10 – 9 , K3 = 2. 5 ×10 – 9 ??H6 TeO6 的K1 = 6. 8 ×10 – 7 , K2 = 4. 1 ×10 – 11 ??因配位氧数不同,无法讨论、比较同族含氧酸盐的溶解性。最高价含氧酸的氧化性强于三周期相应元素的含氧酸,如H5 IO6 氧化Mn2 + 为MnO4- ;45 ℃ H6 TeO6 和浓HCl 生成Cl2 ;酸性条件下Sb ( Ⅴ) 氧化I – 为I2 。4 六周期p 区元素最高价化合物的性质六周期氧族元素钋、卤族元素At 都是放射性元素,所以主要讨论Bi ( Ⅴ) 、Pb ( Ⅳ) 、Tl ( Ⅲ) 的性质。(1) 铋酸钠至今尚未制得铋酸,所以讨论它的盐,NaBiO3 是难溶物,在酸性介质中是强氧化剂,氧化Mn2 + 成MnO4 – : 5NaBiO3 + 2Mn2 + + 14H+ = 5Na + + 5Bi3 + + 2MnO4- + 7H2O 氧化性显著强于As ( Ⅴ) 、Sb ( Ⅴ) ,甚至N( Ⅴ) 。(2) 二氧化铅至今尚未制得铅酸。①PbO2 热分解350 ℃分解为Pb3O4 ,接着分解为Pb3O4 (铅丹) ,550 ℃得PbO。(SnO2 、GeO2 对热是稳定的)②PbO2 氧化性和浓HCl 生成Cl2 (SnO2 、GeO2 不能氧化Cl – ) ;在浓H2SO4 中,氧化Mn2 + 为MnO4- 。(3) 铊( Ⅲ) 和铝、镓、铟相同,Tl ( Ⅲ) 也有Tl (OH) 3 、Tl2O3 、TlF3 、TlCl3 、??因Tl ( Ⅲ) 的氧化性,所以不可能和有明显还原性的S2 – 、I – 生成相应化合物。(4) 铋( Ⅴ) 、铅( Ⅳ) 、镓( Ⅲ) 等具有强氧化性的原因四、五、六周期元素原子的次外层都是18e ,因六周期57 – 71 出现镧系收缩,所以71 号元素原子半径和第五周期同族元素原子相同,如铪(Hf) 和锆(Zr) ,钽( Ta) 和铌(Nb) ;或增大有限,如Tl 、Pb、Bi 。外层电子充满4 f 、5 d 轨道后,6 s2能量下降,表现为Hg (6 s2) 的第一电离能居于金属之首。化学上把6 s2叫做“惰性电子对”。因此不难想象,位于Hg 后的Tl 、Pb、Bi ,也较难失去6 s2电子,即Tl (6 s26 p1) 的第二、三电离能,Pb (6 s2 6 p2) 的第三、四、电离能,Bi (6 s26 p1) 的第四、五电离能都较大,所以也就不难想象: Tl ( Ⅲ) 、Pb ( Ⅳ) 、Bi ( Ⅴ) 具有强氧化性。 表3 硼族、碳族、氮族元素原子的电离能/ kJ / mol电离能B Al Ga In TlI1 801 578 579 558 589( I2 + I3) 6087 4591 4942 4526 4849( I1 + I2 + I3) 6888 5169 5521 5084 5430C Si Ge Sn Pb( I1 + I2) 3439 2364 2299 2121 2166( I3 + I4) 10844 7587 7712 6873 7175( I1 + I2 + I3 + I4) 14283 9951 10011 8994 9341N P As Sb Bi( I1 + I2 + I3) 8836 5827 5477 4867 4779( I4 + I5) 16920 11231 10880 9660 9770( I1 + I2 + I3 + I4 + I5) 25756 17058 16357 14527 145495 次级周期性(1) 二周期p 区元素最高价化合物性质氟、氧没有最高正价化合物,所以讨论N、C。HNO3 是具有强氧化性的强酸,和N 原子次外层为2e (对核屏蔽作用小) 、半径小(含氧酸中N —O、P —O、As —O 键长依次为122 pm、152pm、167 pm) 、三配位氧有关。同理,H2CO3 酸性强于H4SiO4 ,C( Ⅳ) 虽无明显的氧化性,但发生CO2 + C = 2CO 反应温度低于SiO2 + Si》 1250 ℃2SiO(单氧硅) ,后者在低于1250 ℃完全转化为Si 和SiO2 ;显然,H3BO3 酸性强于Al (OH) 3 。(2) 次级周期性以氮族元素为例,把最高价含氧酸性质列于表4 表4 氮族元素最高价含氧酸(盐) 的性质HNO3 H3PO4 H3AsO4 HSb(OH) 6 HBiO3 ?酸性强中强, K1 = 7. 6 ×10 – 3 K2 = 6. 3 ×10 – 8 , K3 = 4. 4 ×10 – 13中强, K1 = 6. 3 ×10 – 3 K2 = 1. 0 ×10 – 7 , K3 = 3. 2 ×10 – 12弱?配位氧3 4 4 6 ?氧化性强不明显氧化I – 氧化I – 氧化Mn2 +盐的溶解性易溶和砷酸盐相似和磷酸盐相似难(微) 溶?基于二、四、六周期最高价化合物不稳定性、“强”氧化性或(和) 含氧酸酸性特殊提出次级周期性。早在1915 年俄国Biron 在得不到HBrO4 时,对“三素组”质疑并进行研究后,将同族内从上而下呈现锉齿状变化的周期性称为次级周期性。附1 有些元素非最高价化合物也有次级周期性,如XO3- + 6H+ + 5e =1/2X2 + 3H2O 的电极电势依次为1. 47 V(Cl) 、1. 51 V(Br ,最大) ,1. 20 V ( I) ;AO3 – + 6H+ + 4e = A + 3H2O 的电极电势为0. 45 V (A 为S) 、0. 74 V(Se ,最大) 、0. 53 V( Te) ;A( Ⅲ) + 3e = A 的电极电势依次为1. 39 V (N) 、- 0. 50 V ( P) 、0. 25 V(As) 、0. 21 V(Sb) 、0. 32 V(Bi) 。附2 非p 区元素的某些性质也呈现次级周期性,如ZnO、CdO、HgO 的△f Hmθ依次为- 348 kJ / mol 、-255 kJ / mol 、- 91 kJ / mol ,若以纵坐标表示△f Hmθ ,横坐标表示原子序,连接3 点得到的线段的“形状”,被认为是次级周期性的体现。
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